I4923DY-T1-GE3
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SI4923DY-T1-GE3 , Vishay / Siliconix

メーカー: Vishay / Siliconix
製造元部品番号: SI4923DY-T1-GE3
パッケージ:
RoHS:
データシート:

PDF For SI4923DY-T1-GE3

ECAD:
説明:
MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
見積依頼 In Stock: 438778
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製品の技術仕様
Product Attribute Attribute Value
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
Power - Max 1.1W
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 P-Channel (Dual)
Drain To Source Voltage (Vdss) 30V
Supplier Device Package 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fet Feature Logic Level Gate
Vgs(Th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
クロスリファレンス
11925353
415
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