imec は薄膜イメージセンサーで大きな進歩を遂げました。

imec は薄膜イメージセンサーで大きな進歩を遂げました。 ピン留めフォトダイオード構造とピン留めフォトゲートおよび転送ゲートを統合することにより、これらのイメージャの真の可能性を解き放ちました。 現在では、可視スペクトルを超え、波長 1 μm を超え、赤外光の領域にまで及ぶ光を検出できるようになりました。

この技術の進歩により、特に自動運転車やスマートフォン技術の分野で可能性の世界が開かれます。 煙や霧を通しても「見える」カメラがあり、自動運転車の安全性とナビゲーションが強化されることを想像してみてください。 顔認識機能を使用してスマートフォンのロックを解除できる便利さも忘れないでください。

従来、シリコンベースのイメージャは可視光の捕捉に限定されていました。 ただし、短波赤外線 (SWIR) などのより長い波長の場合は、異なる半導体が必要になります。 この検出限界に対する解決策を提供する III-V 材料を入力してください。 ただし、落とし穴があります。これらの吸収体の製造には多額の費用がかかり、その広範な使用が妨げられています。

幸いなことに、量子ドットを含む薄膜吸収体という有望な代替手段が出現しました。 これらのセンサーは、優れた吸収特性を実証するだけでなく、従来の (CMOS) 読み出し回路とシームレスに統合できる可能性もあります。 これは、より効率的でコスト効率が高く、多用途なイメージング ソリューションへの道を開くエキサイティングな開発です。

それにもかかわらず、これらの赤外線センサーの欠点の 1 つ、つまりノイズ性能が標準以下であり、画質が低下する可能性があることに対処することが重要です。 しかし恐れることはありません。 imec はこの課題に取り組む方法を見つけました。 彼らのチームは、CMOS 読み出し回路上でアレイを処理し、優れた品質の薄膜 SWIR イメージ センサーを作成しました。

Imec のニコラス・パパドプロス氏は、試作 4T イメージセンサーの素晴らしい成果について熱意を表明しました。 このセンサーは、従来の 3T センサーの 100e- 以上と比較して、6.1e- という驚異的な低い読み出しノイズを誇りました。 この優れたノイズ性能は、Imec のイノベーションの優位性をさらに確立します。

Imec のピン留めフォトダイオードの画期的な統合とその卓越性の継続的な追求により、近い将来イメージング技術のさらにエキサイティングな進歩が期待できます。